Введение

Проведённое не так давно тестирование платформ, основанных на комплекте логики Intel P35 и снабжённых DDR3 памятью, показало, что на данном шаге новенькая память не может обеспечить видимого превосходства в производительности по сопоставлению с обыкновенной частотной DDR2 SDRAM. Условно высочайшие задержки серийных DDR3 модулей приводят к тому, что память, функционирующая на частоте 1333 МГц, проигрывает в скорости широкодоступной DDR2-1066 c таймингами 4-4-4-12 в довольно великом числе прибавлений разного нрава. Но такое положение дел не обязано стать предлогом для поспешных выводов.

То, что самая высокоскоростная DDR3 SDRAM, официально поддерживаемая чипсетами Intel на данный момент, имеет частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7 ещё ни чего же не означает для тех производителей модулей, которые привыкли идти спереди отраслевых стандартов. Ежели вы смотрите за новинками, то понимаете, что водящие изготовители оверклокерских модулей памяти теснее поставляют на рынок DDR3-1600 SDRAM и приготовляются к началу продаж DDR3-1800. Достижение настолько больших частот стало вероятно благодаря усердиям компании Micron, начавшей выпуск чипов Z9, продолжающих традиции известных в среде оверклокеров микросхем DDR2 Micron D9, которые опосля проведения отбора и повышения напряжения кормления оказываются способны к работе на частотах, веско превышающих штатные. Невзирая на то, что номинально микросхемы Micron Z9 представляют собой чипы DDR3-1066, конкретно их внедрение позволило поднятие практических частот DDR3 SDRAM на новейший уровень. Это даёт любителям всего новейшего хороший повод для надежды на преимущество DDR3 в производительности над DDR2 в настоящих прибавлениях.